SI1025X-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 15V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：23pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：Digi-Reel®
SI1025X-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 15V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：23pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：带卷 (TR)
SI1025X-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 15V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：23pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：剪切带 (CT)
SI1025X-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 15V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：23pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：剪切带 (CT)
SI1025X-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 15V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：23pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：带卷 (TR)
SI1025X-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 15V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：23pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：Digi-Reel®
- LED- 高亮度电源模块 Seoul Semiconductor Inc LED AC WARM WT 3000K STARBOARD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 4700PF 100V 10% RADIAL
- DC DC Converters Emerson Network Power 24-SIP 模块（23 引线） CONV DC/DC 400W ADJ 80A
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS INLINE W/PINS
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1.8PF 200V RADIAL
- LED- 高亮度电源模块 Seoul Semiconductor Inc MOD LED HB ACRICH2 120V 550 LM
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 4700PF 100V 10% RADIAL
- 配件 Silicon Laboratories Inc 24-SIP 模块（23 引线） DAUGHTER CARD PROSLIC PS
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 22PF 200V 2% RADIAL
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS INLINE W/PINS
- LED- 高亮度电源模块 Seoul Semiconductor Inc MOD LED HB ACRICH2 220V 835-965
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 4700PF 100V 1% RADIAL
- 显示器模块 - LCD，OLED，图形 Serious Integrated Inc 2-SMD，无引线 MOD TOUCH/DISPLY TFT 3.2" QVGA
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 56PF 100V 5% RADIAL
0755-83244680 
0755-82569753 
0512-67241533 
0755-23612326 
0755-83226745 
13510131896 
0755-82561519 
0755-18503085 
15112667855 
0755-82563615 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-82574045 
