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SGL41-40/96详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：RECTIFIER SCHOTTKY 1A40V DO213AB; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二极管类型：肖特基; 电压_333Vr444（最大）：40V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：500mV @ 1A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：500µA @ 40V; 电容0a0VrwwwwF：110pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-213AB，MELF; 供应商设备封装：DO-213AB; 包装：剪切带 (CT)

SGL41-40/96详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：RECTIFIER SCHOTTKY 1A40V DO213AB; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二极管类型：肖特基; 电压_333Vr444（最大）：40V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：500mV @ 1A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：500µA @ 40V; 电容0a0VrwwwwF：110pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-213AB，MELF; 供应商设备封装：DO-213AB; 包装：带卷 (TR)

SGL41-40-E3/1详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO213AB; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二极管类型：肖特基; 电压_333Vr444（最大）：40V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：500mV @ 1A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：500µA @ 40V; 电容0a0VrwwwwF：110pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-213AB，MELF; 供应商设备封装：DO-213AB; 包装：散装

SGL41-40-E3/96详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO-213AB; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二极管类型：肖特基; 电压_333Vr444（最大）：40V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：500mV @ 1A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：500µA @ 40V; 电容0a0VrwwwwF：110pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-213AB，MELF; 供应商设备封装：DO-213AB; 包装：Digi-Reel®

SGL41-40-E3/96详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO-213AB; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二极管类型：肖特基; 电压_333Vr444（最大）：40V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：500mV @ 1A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：500µA @ 40V; 电容0a0VrwwwwF：110pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-213AB，MELF; 供应商设备封装：DO-213AB; 包装：剪切带 (CT)

SGL41-40-E3/96详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO-213AB; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二极管类型：肖特基; 电压_333Vr444（最大）：40V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：500mV @ 1A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：500µA @ 40V; 电容0a0VrwwwwF：110pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-213AB，MELF; 供应商设备封装：DO-213AB; 包装：带卷 (TR)

SI4483EDY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SGL41-40-E3/96
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AB，MELF DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO-213AB
VJ1206Y472KBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 500V 10% X7R 1206
VIZ0005
配件 Vicor Corporation PowerSO-10 裸露底部焊盘 MECHNCL SAMPLE BCM FULL CHIP SMD
VI-2WF-IX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 75W
VJ1210Y332JXLAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 3300PF 630V 5% X7R 1210
VJ0805Y682KXACW1BC
陶瓷 Vishay BC Components 0805（2012 公制） CAP CER 6800PF 50V 10% X7R 0805
SI4500BDY-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
VI-B6K-EX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W
VIZ0005
配件 Vicor Corporation PowerSO-10 裸露底部焊盘 MECHNCL SAMPLE BCM FULL CHIP SMD
VI-2WF-IY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 50W
VJ1210Y332JXPAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 3300PF 250V 5% X7R 1210
VJ1206A100KBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 10PF 50V 10% NP0 1206
SI4500BDY-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 8-SOIC
VI-B6K-EY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W

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