SDIN2C1-512M 全国供应商、价格、PDF资料
SDIN2C1-512M详细规格
- 类别：存储器
- 描述：IC INAND FLASH 512MB 169FBGA
- 系列：-
- 制造商：SanDisk
- 格式_存储器：闪存
- 存储器类型：闪存 - NAND
- 存储容量：4G（512M x 8）
- 速度：50MHz
- 接口：SD/SPI 串行
- 电压_电源：2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度：-25°C ~ 85°C
- 封装/外壳：169-FBGA
- 供应商器件封装：169-BGA（12x16）
- 包装：托盘
SDIN2C1-512M-T详细规格
- 类别：存储器
- 描述：IC INAND FLASH 512MB 169FBGA
- 系列：-
- 制造商：SanDisk
- 格式_存储器：闪存
- 存储器类型：闪存 - NAND
- 存储容量：4G（512M x 8）
- 速度：50MHz
- 接口：SD/SPI 串行
- 电压_电源：2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度：-25°C ~ 85°C
- 封装/外壳：169-FBGA
- 供应商器件封装：169-BGA（12x16）
- 包装：带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 430 OHM 1/8W .05% 0805 SMD
- 存储器 SanDisk 169-FBGA IC INAND FLASH 512MB 169FBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 261K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 390PF 50V 5% RADIAL
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 69.8K OHM METAL FILM .50W 1%
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC RS232 DRVR/RCVR MLT-CH 28SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 464K OHM 1/4W 1% SMD 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 47PF 500V 5% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 410PF 50V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 27.0 OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 7.50K OHM METAL FILM .50W 1%
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC LINE DRVR/RCVR RS232 28-SSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 48.7K OHM 1/4W 1% SMD 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 47PF 500V 5% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 43PF 50V 5% RADIAL
0755*83682918 
755-83219286 
0755-82561519 
010-62962871、 
13910052844（微 
0755-88291559 
18026926850/0 
0755-82704952 
010-62962871、 
0755-83015506 
0755-22669259 
0755-8322-538 
0755-83039139 
13510131896 
