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SDED5-001G-NAT详细规格: 类别：存储器; 描述：IC MDOC H3 1GB FBGA; 系列：-; 制造商：SanDisk; 格式_存储器：闪存; 存储器类型：闪存 - NAND; 存储容量：8G（1G x 8）; 速度：-; 接口：并联; 电压_电源：1.65 V ~ 1.95 V; 工作温度：-25°C ~ 85°C; 封装/外壳：115-TFBGA; 供应商器件封装：115-BGA（10x14）; 包装：带卷 (TR)

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SI4888DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
RNF12FTD3K16
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 3.16K OHM 1/2W 1% AXIAL
SDE6603-3R3M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 3.3UH 20% SMD
SCEB08QF4
过时/停产零件编号 Freescale Semiconductor BOARD EVAL 908QF4 RF TX
ROV14-112K
TVS - 变阻器，MOV TE Connectivity 圆盘 14mm VARISTOR 1100V 14MM RADIAL
RNF14BTD154K
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/4W 154K OHM .1% AXIAL
RNCP1206FTD5K11
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 5.11K OHM 1/2W 1% 1206 SMD
RNCF1206BTE32R4
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 32.4 OHM 1/8W 0.1% 1206
SI4890BDY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
SCEM351619WH
箱 Hammond Manufacturing BOX ALUM 6.71X14.2X7.71" BL/GY
RNF14BTD180R
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 180 OHM 1/4W .1% AXIAL
ROV14-121K-S-2
TVS - 变阻器，MOV TE Connectivity 圆盘 14mm VARISTOR 120V 14MM STRAIGHT T/R
RNCP1206FTD5K62
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 5.62K OHM 1/2W 1% 1206 SMD
RNCF1206BTE392R
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 392 OHM 1/8W 0.1% 1206
SI4890BDY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC