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RJK0355DPA-00#J0详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A WPAK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.7 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.3nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：8-WPAK; 包装：剪切带 (CT)

RJK0355DPA-00#J0详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A WPAK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.7 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.3nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：8-WPAK; 包装：Digi-Reel®

RJK0355DPA-00#J0详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A WPAK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.7 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.3nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：8-WPAK; 包装：带卷 (TR)

RJK0355DPA-01#J0B详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.7 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.3nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：8-WPAK; 包装：Digi-Reel®

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FET - 单 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
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芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES 6.2 OHM 2W 1% 2512 SMD
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