RJK0351DPA 全国供应商、价格、PDF资料
RJK0351DPA-00#J0详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 40A WPAK
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-WPAK
- 包装：剪切带 (CT)
RJK0351DPA-00#J0详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 40A WPAK
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-WPAK
- 包装：带卷 (TR)
RJK0351DPA-00#J0详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 40A WPAK
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-WPAK
- 包装：Digi-Reel®
RJK0351DPA-01#J0B详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-WPAK
- 包装：剪切带 (CT)
RJK0351DPA-01#J0B详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-WPAK
- 包装：带卷 (TR)
RJK0351DPA-01#J0B详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-WPAK
- 包装：Digi-Reel®
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 8.45K OHM 1/4W .1% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 1206（3216 公制） RES 23.2K OHM 1/4W .5% 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805（2012 公制） RES 2.2K OHM .1% 1/4W 0805 SMD
- FET - 单 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 40A WPAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0402（1005 公制） RES 825 OHM 1/16W 0.5% 0402 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0805（2012 公制） RES PULSE 1.2 OHM 0.25W 5% 0805
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 90.9 OHM 1/4W .1% AXIAL
- DC DC Converters Recom Power 12-DIP SMD 模块（10 引线） CONV DC/DC 1W 3.3VIN +/-05VOUT
- 圆形 - 外壳 Hirose Electric Co Ltd 12-DIP SMD 模块（10 引线） CONN PLUG 15POS FEMALE CRIMP
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805（2012 公制） RES 22K OHM .1% 1/4W 0805 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0805（2012 公制） RES PULSE 20 OHM 0.25W 5% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0402（1005 公制） RES 82.5K OHM 1/16W .5% 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 1206（3216 公制） RES 2.4K OHM 1/4W .05% 1206
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 9.53K OHM 1/4W .1% AXIAL
- 圆形 - 外壳 Hirose Electric Co Ltd 轴向 CONN PLUG 20POS FEMALE CRIMP
13691818754 
13510131896 
0755-83200050 
0755-23919407 
15112667855 
15914072177 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-83200050 
0755-22655674 
0755-83268779 
075584505750 
0755- 8255602 
0755-83015506 
