Q6N4RP详细规格
- 类别：三端双向可控硅开关
- 描述：TRIAC 600V 1A DO-214
- 系列：-
- 制造商：Littelfuse Inc
- 三端双向可控硅开关类型：标准
- 电压_断路：600V
- 电流_导通状态333It333RMS444444（最大）：1A
- 电压_栅极触发器333Vgt444（最大）：1.3V
- 电流_非重复电涌qqq50eee60Hz333Itsm444：16.7A，20A
- 电流_栅极触发电流333Igt444（最大）：25mA
- 电流_维持333Ih444：25mA
- 配置：单一
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DO-214AA，SMB（3 引线），Compak
- 供应商设备封装：DO-214（Compak）
- 包装：带卷 (TR)
- 箱 Bud Industries 6-SMD，鸥翼型 BOX ABS 4.72X2.36X1.97" GRY
- 存储器 Micron Technology Inc 63-TFBGA IC DDR2 SDRAM 4GBIT 63FBGA
- 固态 International Rectifier 6-SMD（0.300"，7.62mm） IC RELAY PHOTOVO 400V 120MA 6SMD
- 面板指示器，指示灯 APEM Components, LLC 6-SMD（0.300"，7.62mm） LED PM INDICATOR FLUSH GREEN
- 箱 Bud Industries 6-SMD（0.300"，7.62mm） BOX ABS 5.91X3.16X1.18" GRY
- 端子 - 快速连接，快速断连 3M 6-SMD（0.300"，7.62mm） CONN UNINSUL FMALE 26-20AWG .11"
- FET - 单 NXP Semiconductors SC-100，SOT-669，4-LFPAK MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK
- 存储器 Micron Technology Inc 92-FBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 92FBGA
- 固态 International Rectifier 6-SMD，鸥翼型 IC RELAY PHOTOVO 400V 140MA 6SMD
- 铁氧体磁珠和芯片 Bourns Inc. 1206（3216 公制） BEAD FERRITE 1200 OHM 100MA 3216
- 存储器 Micron Technology Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 84FBGA
- FET - 单 NXP Semiconductors SC-100，SOT-669，4-LFPAK MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK
- 面板指示器，指示灯 APEM Components, LLC SC-100，SOT-669，4-LFPAK INDICATOR 12V 6MM PROMINENT BLUE
- 铁氧体磁珠和芯片 Bourns Inc. 1206（3216 公制） BEAD FERRITE 1500 OHM 300MA 3216
- 存储器 Micron Technology Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 84FBGA
0755-22929859 
0755-83286481 
0755-89697985 
0755-83223003 
15026993318 / 
13910052844（微 
171-4729-0036 
13910052844（微 
13910052844（微 
