PUMD3,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
PUMD3,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
PUMD3,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
PUMD3,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
PUMD3,125详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS ARRAY NPN/PNP 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
PUMD3,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS ARRAY NPN/PNP 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 原型开发板 - 未穿孔 Injectorall Electronics TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PCB COPPER CLAD POS 4.5X7"2 SIDE
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 44-VQFN 裸露焊盘 IC PIC MCU FLASH 64KB 44QFN
- 矩形- 接头,公引脚 Sullins Connector Solutions 44-VQFN 裸露焊盘 CONN HEADER .100 SINGL R/A 29POS
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 12.1K OHM 5PPM .05% 0805
- 原型开发板 - 未穿孔 Injectorall Electronics 0805(2012 公制) PCB COPPER CLAD 6 X 9" 2 SIDE
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 端子 - 铲形 Panduit Corp TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TERM FORK NYL 26-22AWG #2
- 矩形- 接头,公引脚 Sullins Connector Solutions TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN HEADER .100 DUAL STR 60POS
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 12.3K OHM 5PPM .05% 0805
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 TRANS NPN W/RES 50V SOT-416
- 光隔离器 - 逻辑输出 Sharp Microelectronics 14-SOIC(0.256",6.50mm 宽) PHOTOCOUPLER OPIC 14-SMD
- 矩形- 接头,公引脚 Sullins Connector Solutions 14-SOIC(0.256",6.50mm 宽) CONN HEADER .100 DUAL STR 60POS
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 80-TQFP IC MCU 16BIT 64KB FLASH 80TQFP
- 端子 - 环形 Panduit Corp 80-TQFP TERM RING NYL 26-22AWG #4