PEMD18,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-666
- 包装:带卷 (TR)
PEMD18,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:*
- 封装/外壳:*
- 供应商设备封装:*
- 包装:*
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS SW PNP 60V 800MA TO-92
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 9POS STRAIGHT W/PINS
- 存储器 Micron Technology Inc 64-TBGA IC FLASH 512MBIT 100NS 64EZBGA
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANSISTOR PNP/PNP RES SOT666
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 17 POS RT ANG W/PINS
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 12K OHM METAL FILM 1W 5%
- 接口 - 信号缓冲器,中继器,分配器 NXP Semiconductors 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC I2C BUS REPEATER 8-TSSOP
- 连接器,互连器件 LEMO PLUG CDG 10CTS C-COL
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS GP NPN 25V 500MA TO-92
- 存储器 Micron Technology Inc 64-TBGA IC FLASH 512MBIT P30 65NM 64BGA
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 11 POS RT ANG W/SCKT
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 130 OHM METAL FILM 1W 5%
- 接口 - 信号缓冲器,中继器,分配器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC LVL-TRANSL I2C BUS REP 8-SOIC
- 连接器,互连器件 LEMO PLUG CDG 14CTS
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS GP NPN 25V 500MA TO-92