PEMB1,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-666
- 包装:带卷 (TR)
PEMB10,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-666
- 包装:带卷 (TR)
PEMB11,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:180MHz
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-666
- 包装:带卷 (TR)
PEMB11,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:180MHz
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-666
- 包装:Digi-Reel®
PEMB11,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:180MHz
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-666
- 包装:剪切带 (CT)
PEMB13,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-666
- 包装:带卷 (TR)
- 数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 48-TQFP IC ADC 24BIT 2CH DELT-SIG 48TQFP
- 配件 Red Lion Controls 48-TQFP PANEL FOR 1/16 DIN UNITS
- 接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 24-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SSOP
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR SHIELDED 4.7UH 20% SMD
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 44-TQFP IC MCU 32BIT 16KB FLASH 44TQFP
- DC DC Converters Texas Instruments 4-DIP SMD 模块 CONV DC-DC 48VIN 3A 3.3V SMD
- 数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 48-TQFP IC ADC 24BIT 216KHZ 2CH 48-TQFP
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR SHIELDED 68UH 20% SMD
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC MCU 32BIT 32KB FLASH 28SOIC
- 配件 Red Lion Controls 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) PANEL FOR 1/16 DIN UNITS
- 数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC DAC 16/24/32BIT AUDIO 20TSSOP
- DC DC Converters Texas Instruments 5-DIP SMD 模块 CONV DC-DC 48VIN 3A 3.3V SMD
- 存储器 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC EEPROM 1KBIT 100KHZ 8SOIC
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR SHIELDED 6800UH 20% SMD