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PDTD113ET 全国供应商、价格、PDF资料

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PDTD113ET,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述：TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器_基极333R1444（欧）：1k
电阻器_发射极333R2444（欧）：1k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：33 @ 50mA，5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA
电流_集电极截止（最大）：500nA
频率_转换：-
功率_最大：250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：TO-236AB
包装：带卷 (TR)

PDTD113ET,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述：TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器_基极333R1444（欧）：1k
电阻器_发射极333R2444（欧）：1k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：33 @ 50mA，5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA
电流_集电极截止（最大）：500nA
频率_转换：-
功率_最大：250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：TO-236AB
包装：带卷 (TR)

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