NTP5411NG详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 40A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 25V
- 功率_最大:166W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
- 钽 Kemet 轴向 CAP TANT 0.68UF 35V 10% AXIAL
- PMIC - 显示器驱动器 Texas Instruments 28-DIP(0.600",15.24mm) IC ADC 4 1/2 DIGIT PREC 28DIP
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 0.68UF 35V 10% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 360 OHM 1/2W 0.1% 2512
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 14-DIP SMD 模块(8 引线) CONV DC/DC 1W 3.3VIN 3.3V 1KV
- 钽 Kemet 轴向 CAP TANT 10UF 20V 10% AXIAL
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 0.68UF 50V 10% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 36.0K OHM 1/2W 0.1% 2512
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 14-DIP SMD 模块(8 引线) CONV DC/DC 1W 3.3VIN 9V SGL 1KV
- 钽 Kemet 轴向 CAP TANT 1.5UF 50V 10% AXIAL
- 数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DAC 8BIT QUAD V-OUT 20-SOIC
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB