NTP52N10G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 26A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3150pF @ 25V
- 功率_最大:214W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
- FET - 单 ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
- 钽 Kemet 轴向 CAP TANT 4.7UF 10V 10% AXIAL
- 过时/停产零件编号 Texas Instruments EVAL MODULE FOR TLC5951-477
- 底座安装电阻器 Ohmite 盒 RESISTOR HEAT SINK 5.0 OHM 600W
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 360K OHM 1/2W 0.1% 2512
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
- 钽 Kemet 轴向 CAP TANT 0.68UF 35V 10% AXIAL
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 0.68UF 35V 10% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 360 OHM 1/2W 0.1% 2512
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 14-DIP SMD 模块(8 引线) CONV DC/DC 1W 3.3VIN 3.3V 1KV
- 钽 Kemet 轴向 CAP TANT 10UF 20V 10% AXIAL
- 数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DAC 8BIT QUAD V-OUT 24-SOIC
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB