NTMD6N02R2详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.92A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 6A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 16V
- 功率_最大:730mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
NTMD6N02R2G详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.92A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 6A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 16V
- 功率_最大:730mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
NTMD6N02R2G详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.92A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 6A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 16V
- 功率_最大:730mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
NTMD6N02R2G详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.92A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 6A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 16V
- 功率_最大:730mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC(J 形引线) IC FIFO ASYNCH 4KX9 25NS 32PLCC
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 TT Electronics/Optek Technology 径向,侧视图 PHOTOTRANS SILICON PIN SIDE LOOK
- 功率,高于 2 安 TE Connectivity 3-SIP RELAY GEN PURPOSE SPDT 16A 5V
- FET - 阵列 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
- 氧化铌 AVX Corporation 2312(6032 公制) CAP NIOB OXIDE 68UF 2.5V 2312
- 风扇 - DC Orion Fans 轴向 FAN 120X38MM 12V
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC(J 形引线) IC FIFO ASYNCH 4KX9 25NS 32PLCC
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-SSOP
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 500PSI 1.2-20UNF-2A 4.5V
- 风扇 - DC Orion Fans FAN 120X38MM 24V 105CFM ALARM
- 氧化铌 AVX Corporation 2312(6032 公制) CAP NIOB OXIDE 68UF 6.3V 2312
- 功率,高于 2 安 TE Connectivity 3-SIP RELAY GEN PURPOSE SPDT 16A 12V
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-SSOP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC(J 形引线) IC FIFO ASYNCH 4096X18 32PLCC
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 500PSI 1.2-20 UNF-2A 20MA