NTD3055L104T4G的供应信息|PDF资料|求购NTD3055L104T4G上51电子网

NTD3055L104T4G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：104 毫欧 @ 6A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：剪切带 (CT)

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NTD3055L104T4G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：104 毫欧 @ 6A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：带卷 (TR)

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