NTD20P06L-001详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 7.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:65W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
NTD20P06L-1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 7.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:65W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
NTD20P06LG详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 7.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:65W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
NTD20P06LT4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 7.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:65W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
NTD20P06LT4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 7.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:65W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
NTD20P06LT4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 7.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:65W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
- 晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 20.000000 MHZ 8PF SMD
- 涌入电流限制器 (ICL) Murata Electronics North America TO-220-3 CURRENT LIMITER
- PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor 6-VDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.8V 1A 6-DFN
- 风扇 - DC Orion Fans TO-46-2 透镜顶部金属罐 FAN 92X25MM 12V PWM
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 750PSIS 9/16 UNF 4-20 MA
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 ON Semiconductor 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC BUFF SCHMT TRG N-INV SOT353
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Analog Devices Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OPAMP GP 1.3MHZ DUAL LN 8MSOP
- 涌入电流限制器 (ICL) Murata Electronics North America TO-220-3 CURRENT LIMITER
- PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor 6-VDFN 裸露焊盘 IC REG LDO ADJ 1A 6-DFN
- 风扇 - DC Orion Fans TO-46-2 透镜顶部金属罐 FAN 92X25MM 12V PWM
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
- 晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 27.000000 MHZ 8PF SMD
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 750PSI 9/16-18 UNF 4.5V
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Analog Devices Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OPAMP GP 1.3MHZ DUAL LN 8MSOP