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NTD20N06L-001详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：990pF @ 25V; 功率_最大：1.36W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD20N06L-1G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：990pF @ 25V; 功率_最大：1.36W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD20N06LG详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：990pF @ 25V; 功率_最大：1.36W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：管件

NTD20N06LT4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：990pF @ 25V; 功率_最大：1.36W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：带卷 (TR)

NTD20N06LT4G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：990pF @ 25V; 功率_最大：1.36W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：带卷 (TR)

NTD20N06LT4G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：990pF @ 25V; 功率_最大：1.36W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：剪切带 (CT)

MS3106F20-27S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 14 POS STRAIGHT W/SCKT
NTD20N06-1G
FET - 单 ON Semiconductor TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
MS27656E15B18P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 18POS WALL MNT W/PINS
MS3101A32-12S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 15POS FREE HNG W/SCKT
MS3102E24-28S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 24POS BOX MNT W/SKTS
HC2-HP-DC48V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE DPDT 7A 48V
HCPL-315J-000E
光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）12 引线 OPTOCOUPLER GATE 2CH 0.5A 16SOIC
MS3106F20-2P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 1POS INLINE W/PIN
H5BBT-10108-N0-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040N/H2730TR 8"
MS27656E15B18S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 18POS WALL MNT W/SCKT
HC2-HTM-AC240V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE DPDT 7A 240V
HCPL-3180-560E
光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER DRVR 2.5A VDE 8-SMD
MS3106F20-33S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 11POS STRAIGHT W/SCKT
NTD20P06L-1G
FET - 单 ON Semiconductor TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
MS27656E15B19P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 19POS WALL MNT W/PINS

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