NTD20N03L27 全国供应商、价格、PDF资料
NTD20N03L27详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 10A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
- 功率_最大:1.75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
NTD20N03L27-001详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 10A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
- 功率_最大:1.75W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
NTD20N03L27-1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 10A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
- 功率_最大:1.75W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
NTD20N03L27G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 10A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
- 功率_最大:1.75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
NTD20N03L27T4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 10A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
- 功率_最大:1.75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:带卷 (TR)
NTD20N03L27T4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 10A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 25V
- 功率_最大:1.75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-TQFP
- 通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 270K OHM .5W CARB COMP
- 风扇 - AC Orion Fans 轴向 FAN 115VAC 172X150X38.5MM 162CFM
- FET - 单 ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP 20MHZ DUAL 8SOIC
- 固定式 TDK Corporation 1008(2520 公制) INDUCTOR POWER 0.12UH 1008
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 40-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK DRIVER 2.5V 40-VFQFPN
- 通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 27 OHM 1W CARB COMP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-TQFP
- 通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 18 OHM 1W CARB COMP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盘 IC OPAMP GP CMOS 20MHZ DUAL 8SON
- 固定式 TDK Corporation 1008(2520 公制) INDUCTOR POWER 0.15UH 1008
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-VFBGA IC CLOCK DRIVER 28-CABGA
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-TQFP
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 20A DPAK