NTD18N06L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 9A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:675pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
NTD18N06L-001详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 9A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:675pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
NTD18N06L-1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 9A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:675pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
NTD18N06LG详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 9A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:675pF @ 25V
- 功率_最大:2.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
NTD18N06LT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 9A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:675pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:带卷 (TR)
NTD18N06LT4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 9A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:675pF @ 25V
- 功率_最大:55W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) OPTOCOUPLER GATE DRV 0.4A 16SOIC
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 3POS FREE HNG W/SCKT
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2064A/H2728TR 8"
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/PINS
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS BOX MNT W/PINS
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE DPDT 7A 120V
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鸥翼型 OPTOCOUPLER GATE DRIVE 0.6A 8SMD
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040B/H2730TR 8"
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 15POS WALL MNT W/SCKT
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS FREE HNG W/PINS
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/SCKT
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE DPDT 7A 24V
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)12 引线 OPTOCOUPLER 2CH 0.6A 16-SOIC
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2016L/H2730TR 8"