NTD18N06的供应信息|PDF资料|求购NTD18N06上51电子网

NTD18N06详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：管件

NTD18N06-001详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD18N06-1G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD18N06G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：管件

NTD18N06L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 9A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：DPAK-3; 包装：管件

NTD18N06L-001详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 9A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

P51-750-A-Z-P-20MA-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 750PSI 1/4-18NPT 4-20MA
NTP4302G
FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB
NTD18N06G
FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
NX5032GA 9.84375MHZ AT-TPMS
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 9.84375 MHZ 8PF SMD
OD-850F
红外发射器，UV 发射器 Opto Diode Corp TO-46-2 透镜顶部金属罐 EMITTER IR 30MW 850NM
NCV5501DT15RKG
PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 1.5V .5A DPAK
OP177GSZ-REEL7
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Analog Devices Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP PREC LN 8SOIC
P51-750-S-AA-I36-4.5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 750PSI 7/16-20 UNF 4.5V
NTP45N06G
FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
NX5032GA-12.000000MHZ-LN-CD-1
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 12.000000 MHZ 8PF SMD
OD-880FHT
红外发射器，UV 发射器 Opto Diode Corp TO-46-2 透镜顶部金属罐 EMITTER IR 8MW 880NM NAR TO-46
NCV5501DT33G
PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 3.3V .5A DPAK-3
P51-750-S-AA-M12-20MA-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 750PSIS 7/16 UNF 4-20 MA
NTP45N06L
FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
OP180
红外发射器，UV 发射器 TT Electronics/Optek Technology 2-PLCC LED IR 940NM CLEAR PLCC-2 SMD

NTD18N06 全国供应商、价格、PDF资料