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NST3906DXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 PNP（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：200mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：40V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

NST3906DXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 PNP（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：200mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：40V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

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