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NSS35200MR6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：2A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：35V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：310mV @ 20mA，2A; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1.5A，1.5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

NSS35200MR6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：2A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：35V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：310mV @ 20mA，2A; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1.5A，1.5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

NSS35200MR6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：2A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：35V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：310mV @ 20mA，2A; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1.5A，1.5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

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NR6028T1R5N
固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR 1.5UH 5.0A 30% SMD
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