NSBC143TPDXV 全国供应商、价格、PDF资料
NSBC143TPDXV6T1详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563
- 包装：剪切带 (CT)
NSBC143TPDXV6T1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563
- 包装：剪切带 (CT)
NSBC143TPDXV6T1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563
- 包装：带卷 (TR)
NSBC143TPDXV6T1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563
- 包装：Digi-Reel®
NSBC143TPDXV6T5G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563
- 包装：带卷 (TR)
- 光隔离器 - 晶体管，光电输出 TT Electronics/Optek Technology 4-SMD PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 4-PIN
- 光学 - 反射式 - 模拟输出 TT Electronics/Optek Technology 模块，预接线 SNSR OPTO TRANS 5.59MM REFL C-MT
- 网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES ARRAY 100K OHM 4 RES 8-SOIC
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP SNGL BIPOLAR 8-DIP
- 剥线器和配件 Greenlee Communications 非标准 TOOL STRIPPER 2LEVEL .153 GRY
- 矩形- 接头，公引脚 Samtec Inc TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB PWR MATE TERM STRIP HDR 6POS
- 光隔离器 - 晶体管，光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-DIP（0.400"，10.16mm） OPTOCOUPLER TRANS-OUT WIDE 6-DIP
- 光隔离器 - 晶体管，光电输出 TT Electronics/Optek Technology 4-SMD PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 4-PIN
- 接线座 - 配件 - 导线金属环 Greenlee Communications 非标准 FERRULE WIRE UNINS 8AWG 500PC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Linear Technology 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC PREC OPAMP LOW NOISE 8-DIP
- 网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES ARRAY MULT OHM 4 RES 8-SOIC
- 支架 Hammond Manufacturing TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB CABINET STEEL 23.6X28X77.3
- 光隔离器 - 晶体管，光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-DIP（0.300"，7.62mm） OPTOCOUPLER TRANS OUT 6-DIP
- 光学 - LED，灯 - 透镜 Dialight 8-DIP（0.300"，7.62mm） LENS SUB-LENS OVAL 12DEG X 24DEG
0755-83242658 
13510131896 
0755-82563615 
0755-23919407 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-22655674 
0755-82574045 
171-4729-9698 
0755-23613962 
0755-/8321846 
755-83616256 
755-83252273 
755-83210909 
