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NSBC114YPDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

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NSBC114YPDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

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NSBC114YPDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
NCP1379DR2G
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NBVSBA037LNHTAG
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N3372-6003RB
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HVR2500002103FR500
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NCV301LSN45T1G
PMIC - 监控器 ON Semiconductor 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）5 引线 IC VOLT DETECTOR 4.5V TSOP-5
MM5Z10VT1G
单二极管/齐纳 ON Semiconductor SC-79，SOD-523 DIODE ZENER 10V 200MW SOD-523
N3372-6502
矩形- 接头，公引脚 3M CONN HEADER 60PS STR SHORT LA
NBVSPA015LN1TAG
时钟/计时 - 可编程计时器和振荡器 ON Semiconductor 6-CLCC IC VCXO LVDS 200MHZ 6CLCC
NTB30N06G
FET - 单 ON Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
HVR2500002203FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 220K OHM METAL FILM .25W 1%
NCP1380CDR2G
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR FLYBK ISO PWM 8SOIC

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