NSBC114EDXV6T 全国供应商、价格、PDF资料
NSBC114EDXV6T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:剪切带 (CT)
NSBC114EDXV6T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:Digi-Reel®
NSBC114EDXV6T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
NSBC114EDXV6T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:剪切带 (CT)
NSBC114EDXV6T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
NSBC114EDXV6T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:剪切带 (CT)
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 24-DIP 模块(600 mil,8 引线) CONV DC/DC 3W 12VIN 15VOUT DIP24
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 热敏电阻 - NTC Murata Electronics North America 0201(0603 公制) THERMISTOR 100 OHM NTC 0201 SMD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 Micrel Inc 4-UFDFN,4-TMLF? IC LOAD SWITCH HI SIDE 2A 4-TMLF
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 2000PSIS 1/4 NPT 5V 12"
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 NXP Semiconductors 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC ANALOG SWITCH SPST UMT5
- 固定式 TDK Corporation 0805(2012 公制) INDUCTOR MULTILAYER 4.7UH 0805
- 热敏电阻 - NTC Vishay BC Components 0805(2012 公制) THERMISTOR NTC 22K OHM SMD 0805
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 24-DIP 模块(600 mil,8 引线) CONV DC/DC 3W 24VIN 3.3V DIP24
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 2000PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
- PMIC - 电源分配开关 Micrel Inc 4-UDFN 裸露焊盘,4-TMLF? IC LOAD SW HGH SIDE 1.2A 4-TMLF
- 固定式 TDK Corporation 0805(2012 公制) INDUCTOR MULTILAYER 47UH 0805
- 晶体 NDK 4-SMD,无引线(DFN,LCC) CRYSTAL 15.36MHZ 10PF SMD
- 热敏电阻 - NTC Vishay BC Components 0805(2012 公制) THERMISTOR NTC 22K OHM 0805 SMD
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 24-DIP 模块(600 mil,8 引线) CONV DC/DC 3W 48VIN 12VOUT DIP24