NSBA123JDXV6 全国供应商、价格、PDF资料
NSBA123JDXV6T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
NSBA123JDXV6T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:剪切带 (CT)
NSBA123JDXV6T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:剪切带 (CT)
NSBA123JDXV6T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
NSBA123JDXV6T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 TT Electronics/Optek Technology 模块,预接线 SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL
- 光纤 - 发射器 - 离散式 TT Electronics/Optek Technology LED FIBER OPTC GAAIAS HS TO18 ST
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
- 配件 Cooper Bussmann TO-18 小型 COVER PROTECTIVE 3POS OPM MODULE
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- RF FET NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET RF TO220AB TO220AB
- 光隔离器 - 三端双向可控硅,SCR输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRIAC ZC 6-MDIP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 TT Electronics/Optek Technology 模块,预接线 SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL
- 配件 Cooper Bussmann TO-18 小型 MARKING TABS OPM FUSE HOLDER
- RF FET NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET RF SOT404 D2PAK
- 光隔离器 - 三端双向可控硅,SCR输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRIAC ZC 6-SMD
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
- 光学 - LED,灯 - 透镜 Dialight - FLARE LENS FOR LUXEON 10 X 80DEG
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安装 SWITCH PHOTOLOGIC SLOT OPTICAL