NSBA114EDXV6T 全国供应商、价格、PDF资料
NSBA114EDXV6T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
NSBA114EDXV6T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:剪切带 (CT)
NSBA114EDXV6T5详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
NSBA114EDXV6T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
- 实心管,套管 Alpha Wire 01005(0402 公制) TUBING PTFE .258" ID 100’ CLR
- 电路板衬垫,支座 Richco Plastic Co 4-SIP SPACER RND PLAST #4SCREW 1/2"
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-243AA IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-89-3
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE GPP 8A 200V PLAST TO263AB
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE GPP 8A 600V PLAST TO263AB
- FET - 单 Toshiba MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 26POS TIN WW R/A
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control 3-SIP SENSOR UNIPOL HALL-EFFECT DGTL
- 实心管,套管 Alpha Wire 01005(0402 公制) TUBING PTFE .026" ID 100’ CLR
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 27POS GOLD PCB
- FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-262-3短引线,I²Pak SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD
- 实心管,套管 Alpha Wire 01005(0402 公制) TUBING PTFE .010" ID 100’ CLR
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3