NP50P06KDG 全国供应商、价格、PDF资料
NP50P06KDG-E1-AY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
- 系列:-
- 制造商:Renesas Electronics America
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 10V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263
- 包装:带卷 (TR)
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) IXYS 8-VFDFN IC FLUX SENSOR 12BIT DGTL 8-DFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG LDO 3.3V 1A 8-SOIC
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div NE1 ANTENA
- FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 40A TO-263
- 功率,高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE 4PDT 3A 240V
- 逻辑 - 触发器 NXP Semiconductors 14-DIP(0.300",7.62mm) IC FLIP FLOP/CLOCK DRIVER 14-DIP
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1000PSI 7/16-20-2B 1-5V
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK RECOVERY PLL 16-TSSOP
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) IXYS 8-VFDFN IC FLUX SENSOR 12BIT DGTL 8-DFN
- 逻辑 - 栅极和逆变器 ON Semiconductor 8-VFSOP(0.091",2.30mm 宽) IC GATE NAND DUAL 2INPUT US8
- 功率,高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE 4PDT 3A 12V
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 NXP Semiconductors 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SOIC
- 磁性 - 位置,近程,速度(模块) Standex-Meder Electronics 模制壳体 SENSOR MAGNETIC 10-15 A/T SMD
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1000PSI 1/4-18NPT 4-20MA
- PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG LDO ADJ 1A 8SOIC