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NP36P06KDG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -60V -36A TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29.5 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 10V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263; 包装：带卷 (TR)

NP36P06KDG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -60V -36A TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29.5 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 10V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263; 包装：剪切带 (CT)

NP36P06KDG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -60V -36A TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29.5 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 10V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263; 包装：Digi-Reel®

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