NJT4030PT1G 全国供应商、价格、PDF资料

NJT4030PT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP BIPO 3A 40V SOT-223

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 300mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 1A，1V

功率_最大：2W

频率_转换：160MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：Digi-Reel®

NJT4030PT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP BIPO 3A 40V SOT-223

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 300mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 1A，1V

功率_最大：2W

频率_转换：160MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：剪切带 (CT)

NJT4030PT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP BIPO 3A 40V SOT-223

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 300mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 1A，1V

功率_最大：2W

频率_转换：160MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：带卷 (TR)