NE85634-A详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89
- 系列:-
- 制造商:CEL
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):12V
- 频率_转换:6.5GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.4dB @ 1GHz
- 增益:-
- 功率_最大:2W
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 20mA,10V
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89
- 包装:散装
- PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor 4-UDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.8V .15A UDFN4
- PTC 可复位保险丝 Bourns Inc. 2-SMD FUSE RESETTABLE
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
- RF 晶体管 (BJT) CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
- RF 晶体管 (BJT) CEL TO-253-4,TO-253AA TRANS NPN 1GHZ SOT-143
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS SILVER
- 接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 18POS
- 专用 TT Electronics/BI 径向 TRANS GATE DRIVE 1:1:1 300UH SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC REG LDO 1.8V .3A SC-70
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR 256MB 200-SODIMM
- RF 晶体管 (BJT) CEL SOT-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ M13
- 专用 TT Electronics/BI 径向 TRANS GATE DRIVE 1:1:1 300UH SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS SILVER
- 接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 19POS
- PTC 可复位保险丝 Bourns Inc. 2-SMD FUSE RESETTABLE 1.1A 33V SMD