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» 型号"NE85633-T1B-R25"的供应信息
NE85633-T1B-R25 全国供应商、价格、PDF资料
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NE85633-T1B-R25-A详细规格
类别:RF 晶体管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
系列:-
制造商:CEL
晶体管类型:NPN
电压_集电极发射极击穿(最大):12V
频率_转换:7GHz
噪声系数(dB典型值0a0频率):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:9dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 20mA,10V
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23
包装:带卷 (TR)
NE85633-T1B-R25-A详细规格
类别:RF 晶体管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
系列:-
制造商:CEL
晶体管类型:NPN
电压_集电极发射极击穿(最大):12V
频率_转换:7GHz
噪声系数(dB典型值0a0频率):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:9dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 20mA,10V
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23
包装:Digi-Reel®
NE85633-T1B-R25-A详细规格
类别:RF 晶体管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
系列:-
制造商:CEL
晶体管类型:NPN
电压_集电极发射极击穿(最大):12V
频率_转换:7GHz
噪声系数(dB典型值0a0频率):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:9dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 20mA,10V
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23
包装:剪切带 (CT)
NE85633-T1B-R25供应商
NE85633-T1B-R25-A
上海熠富电子科技有限公司
13764057178 /
NE85633-T1B-R25-A
深圳市芯脉实业有限公司
19166203057
NE85633-T1B-R25-A
深圳市正信鑫科技有限公司
0755-22655674
NE85633-T1B-R25-A
深圳市芯满林科技有限公司
15816893710 1
NE85633-T1B-R25-A
深圳市易信优科技有限公司
0755-23914006
NE85633-T1B-R25-A
深圳市宇明芯科技有限公司
0755-83051566
NE85633-T1B-R25-BRCALIFORNIA
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
NE85633-T1B-R25-A
深圳市潮南大宇电子有限公司
0755-23956875
NE85633-T1B-R25-A
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
NE85633-T1B-R25-A
深圳市鑫远鹏科技有限公司
15818663367
NE85633-T1B-R25
北京显周科技有限公司
13910052844(微
NE85633-T1B-R25-A
北京显周科技有限公司
13910052844(微
NE85633-T1B-R25-A
深圳市金嘉锐电子有限公司
0755-22929859
NE85633-T1B-R25
深圳市春涛电子有限公司
0755-82563615
NE85633-T1B-R25-A
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
NE85633-T1B-R25-A
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
查看更多NE85633-T1B-R25的供应商
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PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA IC REG LDO 3V 3A D2PAK-5
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NFS40-7610J
AC DC 转换器 Emerson Network Power PWR SUP SWITCHER 5.1/15/-15V 40W
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