NE650103M-A详细规格
- 类别：RF FET
- 描述：MESFET GAAS 2.7GHZ 3M
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶体管类型：MESFET
- 频率：2.3GHz
- 增益：11dB
- 电压_测试：10V
- 额定电流：5A
- 噪音数据：-
- 电流_测试：1.5A
- 功率_输出：40dBm
- 电压_额定：15V
- 封装/外壳：SOT-445 变式
- 供应商设备封装：3M
- 包装：托盘
- 固定式 TT Electronics/BI 0504（1210 公制） HIGH CURR LOW PROFILE INDUCTORS
- 线性 - 放大器 - 视频放大器和频缓冲器 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC AMP VIDEO 2STAGE DIFF 8-SOIC
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-UDIMM MODULE DDR3 SDRAM 1GB 240UDIMM
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS SILVER
- PTC 可复位保险丝 Bourns Inc. 径向 FUSE PTC RESETTABLE
- PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor 4-UDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.2V .15A UDFN4
- RF 晶体管 (BJT) CEL SC-82A，SOT-343 TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-343
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 204-SODIMM MODULE DDR3 SDRAM 1GB 204SODIMM
- 接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 16POS 3.81MM
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS SILVER
- PTC 可复位保险丝 Bourns Inc. 径向 FUSE PTC RESETTABLE
- PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor 4-UDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.8V .15A UDFN4
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 204-SODIMM MOD DDR3L SDRAM 1GB 204SODIMM
- RF 晶体管 (BJT) CEL SOT-523 TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD
- 接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 18POS 3.81MM
0755-82563615 
0755-89697985 
0755-83223003 
18820154873 
0755-22929859 
755-83252273 
15026993318 / 
0755-83259954 
010-62104931、 
0755-83777607 
13910052844（微 
010-62104931、 
0755-8322-538 
021-51872165/ 
13910052844（微 
