NE461M02-T1-AZ详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02
- 系列:-
- 制造商:CEL
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- 频率_转换:-
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 增益:-
- 功率_最大:2W
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 50mA,10V
- 电流_集电极333Ic444(最大):250mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89
- 包装:带卷 (TR)
NE461M02-T1-AZ详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02
- 系列:-
- 制造商:CEL
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- 频率_转换:-
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 增益:-
- 功率_最大:2W
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 50mA,10V
- 电流_集电极333Ic444(最大):250mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89
- 包装:剪切带 (CT)
NE461M02-T1-AZ详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02
- 系列:-
- 制造商:CEL
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- 频率_转换:-
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 增益:-
- 功率_最大:2W
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 50mA,10V
- 电流_集电极333Ic444(最大):250mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89
- 包装:Digi-Reel®
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 15UH 10% 1812
- 氧化铌 AVX Corporation 2917(7343 公制) CAP NIOB OXIDE 100UF 6.3V 2917
- RF 晶体管 (BJT) CEL TO-243AA TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02
- 存储器 Micron Technology Inc 144-TBGA IC RLDRAM 576MB 144UBGA
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块(600 mil,8 引线) NE1S V3 SOFTWARE SITE LICENSE
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16QSOP
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 68.1 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 150UH 10% 1812
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16QSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块(600 mil,8 引线) NE1S V3 SOFTWARE SITE LICENSE
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- 存储器 Micron Technology Inc 144-XFBGA IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 698 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 150UH 10% 1812