NE3503M04-T2 全国供应商、价格、PDF资料
NE3503M04-T2-A详细规格
- 类别：RF FET
- 描述：AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶体管类型：HFET
- 频率：12GHz
- 增益：12dB
- 电压_测试：2V
- 额定电流：70mA
- 噪音数据：0.45dB
- 电流_测试：10mA
- 功率_输出：-
- 电压_额定：4V
- 封装/外壳：SC-82A，SOT-343
- 供应商设备封装：SOT-343
- 包装：带卷 (TR)
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .22UH 2.40A 20% 1210
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH 16-QFN
- RF FET CEL 微型-X 陶瓷 84C HJ-FET 20GHZ MICRO-X
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 176POS TYPE D VERT
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 4.42KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- 氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 536 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
- 氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312
0755-83793312 
0755-82578309 
0755-82569753 
19166203057 
0755-23991909 
0755-84507690 
0755-89587343 
010-62962871、 
13424184668 
0755-23612326 
0755-23487994 
13528893675 
0755-23919407 
0755-83226745 
0755-82767795 
0755-18073598 
