NE350184C详细规格
- 类别：RF FET
- 描述：HJ-FET 20GHZ MICRO-X
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶体管类型：HFET
- 频率：20GHz
- 增益：13.5dB
- 电压_测试：2V
- 额定电流：70mA
- 噪音数据：0.7dB
- 电流_测试：10mA
- 功率_输出：-
- 电压_额定：4V
- 封装/外壳：微型-X 陶瓷 84C
- 供应商设备封装：84C
- 包装：散装
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .10UH 2.85A 20% 1210
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 12-UFQFN IC SWITCH DP3T 12UQFN
- 线夹和夹具 Richco Plastic Co 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） CLAMP VINYL-DIPPED 1-3/64 X 1/2"
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 176POS TYPE D VERT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 1 LICENSE
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 47.5KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
- 氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 15UF 4V 1206
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .22UH 2.40A 20% 1210
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 176POS TYPE D VERT
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 4.42KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- 氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
021-62153656青 
0755-22929859 
0755-82723761 
13510131896 
0755-83200050 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
0755-83223003 
0755-83777708 
13711580601 
0755-82574045 
18820154873 
0755-82723761 
755-83210909 
15026993318 / 
