NDS8852H详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 30V 3.4A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A,3.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 2220(5650 公制) INDUCTOR POWER 3.9UH 1.05A 2220
- 氧化铌 AVX Corporation 1210(3528 公制) CAP NIOB OXIDE 10UF 6.3V 1210
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 110POS TYPE AB VERT
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-SOIC
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16TSSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块(600 mil,8 引线) NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- 存储器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 261 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 氧化铌 AVX Corporation 1210(3528 公制) CAP NIOB OXIDE 10UF 10V 1210
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 110POS TYPE AB VERT
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块(600 mil,8 引线) NE1S V3 SOFTWARE 30 LICENSE
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 287KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 95POS TYPE AB VERT