MUN5233DW1T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
MUN5233DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
MUN5233DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:Digi-Reel®
MUN5233DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
MUN5233T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:202mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:Digi-Reel®
MUN5233T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:202mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:带卷 (TR)
- 旋钮 Kilo International 径向 KNOB BLK/MATTE.625"DIA 6MM SHAFT
- 套管 - 音频 Switchcraft Inc. 63-VFBGA CONN JACK LONG FRAME PHONE
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 332K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG CABLE 30POS PIN
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 178 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 6.2 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA
- 旋钮 Kilo International 径向 KNOB BLK/MATTE.925"DIA.250"SHAFT
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 178K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG CABLE 30POS SKT
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 220K OHM 1/10W 5% 0603
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 54TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 340K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 激光二极管 Lumex Opto/Components Inc 径向,带透镜的金属罐,TO-18-3 DIODE LASER 5MW 1550NM TO-18