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MUN5215DW1T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：带卷 (TR)

MUN5215DW1T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：Digi-Reel®

MUN5215DW1T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：剪切带 (CT)

MUN5215T1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：202mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）; 包装：带卷 (TR)

MUN5215T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：202mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）; 包装：带卷 (TR)

MUN5215T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：202mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）; 包装：剪切带 (CT)

N354-02M
光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’
N74F166D,602
逻辑 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-SOIC
OPA875IDG4
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） OPA875IDG4
MUN5214DW1T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
HK212512NK-T
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR HIFREQ 12NH+/-.1 0805
MSP10A01180RGEJ
网络、阵列 Vishay Dale 10-SIP RES ARRAY 180 OHM 9 RES 10-SIP
N354-05M
光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 5M
N354-03M
光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 10’
MCT06030D2402BP500
芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0603（1608 公制） RES 24.0K OHM 1/10W .1% SMD 0603
N74F193N,602
逻辑 -计数器，除法器 NXP Semiconductors 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC BINARY COUNTER UP/DOWN 16DIP
HK21251N8S-T
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR HIFREQ 1.8+/-3NH 0805
MSP10A012K20FEJ
网络、阵列 Vishay Dale 10-SIP RES ARRAY 2.2K OHM 9 RES 10-SIP
N354-05M
光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 5M
N354-05M
光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 5M
MUN5216DW1T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

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