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MUN5214DW1T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：带卷 (TR)

MUN5214DW1T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：Digi-Reel®

MUN5214DW1T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：剪切带 (CT)

MUN5214T1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：202mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）; 包装：剪切带 (CT)

MUN5214T1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：202mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）; 包装：带卷 (TR)

MUN5214T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：202mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）; 包装：剪切带 (CT)

PI3C32X245BE
逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器 Pericom 40-FSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC 16-BIT BUS SW 2-PORT 40-BQSOP
PVZ3G333C01R00
微調器 Murata Electronics North America 40-FSOP（0.154"，3.90mm 宽） TRIMMER 33K OHM 0.1W SMD
PH8BD4K
过时/停产零件编号 SofTec Microsystems SRL 40-FSOP（0.154"，3.90mm 宽） PROG HEAD FOR MP8011A 42-DIP
MUN5213DW1T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
MT48H8M16LFB4-75 IT:K
存储器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
PI3C3306UEX
逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器 Pericom 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC 2-BIT BUS SW 2-PORT 8-MSOP
Q6R1CXXG24E
面板指示器，指示灯 APEM Components, LLC 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） INDICATOR 24V 6MM RECESSED GRN
PVZ3G684C01R00
微調器 Murata Electronics North America 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） TRIMMER 680K OHM 0.1W SMD
PH8GP3L
过时/停产零件编号 SofTec Microsystems SRL 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） PROG HEAD FOR MP8011A 44-QFP
Q6R1CXXR24E
面板指示器，指示灯 APEM Components, LLC SC-70，SOT-323 INDICATOR 24V 6MM RECESSED RED
PI3C3384QE
逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器 Pericom 24-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC 10-BIT 2-PORT BUS SW 24-QSOP
PVZ3K105E01R00
微調器 Murata Electronics North America 24-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） TRIMMER 1M OHM 0.1W SMD
MT48H8M16LFB4-8:J TR
存储器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
PH8GR0G
过时/停产零件编号 SofTec Microsystems SRL PROG HEAD FOR MP8011A 28-DIP
MUN5215DW1T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

MUN5214 全国供应商、价格、PDF资料

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PVZ3G333C01R00

PH8BD4K

MUN5213DW1T1G

MT48H8M16LFB4-75 IT:K

PI3C3306UEX

Q6R1CXXG24E

PVZ3G684C01R00

PH8GP3L

Q6R1CXXR24E

PI3C3384QE

PVZ3K105E01R00

MT48H8M16LFB4-8:J TR

PH8GR0G

MUN5215DW1T1G