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MUN5212DW1T1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：带卷 (TR)

MUN5212DW1T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：Digi-Reel®

MUN5212DW1T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：剪切带 (CT)

MUN5212DW1T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：带卷 (TR)

MUN5212T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：2.2k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：202mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）; 包装：剪切带 (CT)

MUN5212T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：2.2k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：202mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）; 包装：带卷 (TR)

MSP430P325AIPM
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC 16BIT MCU 16K OTP 512B 64LQFP
MUN5212T1G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
MOV-07D781KTR
TVS - 变阻器，MOV Bourns Inc. 圆盘 7mm VARISTOR 780V 7MM RADIAL
MP6-2V-2V-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power * MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MS27474T14F35P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 37POS JAM NUT W/PINS
MS27656E13F98P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 10POS WALL MNT W/PINS
MS27497T24F2SB
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 100POS WALL MNT W/SCKT
MSP430P325IPM
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC 16BIT MCU 16K OTP 512B 64LQFP
MS27467T19B32PA
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 32POS STRAIGHT W/PINS
MP6-2W-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power * MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MS27474T16A26P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 26POS JAM NUT W/PINS
MS27497T24F35SB
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 128POS WALL MNT W/SCKT
MS27656E15A35SALC
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 37POS WALL MT SCKT
MSP-8-01
电路板支座 Richco Plastic Co MicroSMP SUPT POST MINI .18"DIA 1/2"
MS27467T19B32PA
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 32POS STRAIGHT W/PINS

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