MUN5211DW1T1G 全国供应商、价格、PDF资料

MUN5211DW1T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：10k

电阻器_发射极333R2444（欧）：10k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商设备封装：SOT-363

包装：剪切带 (CT)

MUN5211DW1T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：10k

电阻器_发射极333R2444（欧）：10k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商设备封装：SOT-363

包装：Digi-Reel®

MUN5211DW1T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：10k

电阻器_发射极333R2444（欧）：10k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商设备封装：SOT-363

包装：带卷 (TR)