MUN5211DW1T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
MUN5211DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
MUN5211DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:Digi-Reel®
MUN5211DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
MUN5211T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:310mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:剪切带 (CT)
MUN5211T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:310mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:Digi-Reel®
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE SDRAM DDR2 2GB 240DIMM
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 430 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 16V 20% SMD
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-UDIMM MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
- 配件 Multi-Tech Systems 模块 CDROM/DOCS/DVR BVRP PHONE TOOLS
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 1000UF 25V 20% SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 4.3K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 4.75 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 功率 Acme Electric/Amveco/Actown - TRANSFORMER MED 120/240V 400VA
- RF 接收器、发射器及收发器的成品装置 Multi-Tech Systems 模块 MODEM CDMA RS-232 DC IP BELL
- 矩形 - 外壳 JAE Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 CONN SOCKET 18POS HOUSING 2.2MM
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 43K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240-DIMM
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 6.20 OHM 1/4W 1% 0805 SMD