MUN5133DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
MUN5133T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:202mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:带卷 (TR)
- 矩形- 接头,公引脚 3M CONN HEADER 30POS STR GOLD T/H
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 10-WFQFN IC OPAMP VFB RRO 1MHZ 10QFN
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 网络、阵列 Vishay Dale 8-SIP RES ARRAY 47 OHM 7 RES 8-SIP
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE SDRAM DDR 1GB 184DIMM
- 固定式 Taiyo Yuden 0603(1608 公制) INDUCTOR HI FREQ 390NH 5% 0603
- 逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器 NXP Semiconductors 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DECODER/DEMUX 3-8LINE 16SOIC
- 矩形 - 配件 3M CONN LATCH SHORT FOR SMD HEAD
- 卡导轨 Bivar Inc CARD GUIDE NAR 3.5X0.078" BLK
- 网络、阵列 Vishay Dale 8-SIP RES ARRAY 4.7K OHM 4 RES 8-SIP
- 配件 Crydom Co. 0603(1608 公制) KIT BRACKT HARDWARE DIN RAIL MNT
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE SDRAM DDR 2GB 184DIMM
- 逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器 NXP Semiconductors 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DATA SELECTOR/MUX 15MA 16SOIC
- 矩形 - 配件 3M EJECTOR LATCHES BLK SHORT SNAP
- 矩形 - 配件 3M EJECT LATCH/SHORT/SNAP