MUN5131T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):2.2k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:8 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 5mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:202mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:带卷 (TR)
MUN5131T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):2.2k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:8 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 5mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:202mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 300 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG CABLE 23POS SKT
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
- 存储器 Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH NAND 8GB 63VFBGA
- 存储器 Micron Technology Inc 48-VFBGA IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 9.31K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 1.47K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 旋钮 Kilo International KNOB CLR/MATTE.925"DIA.125"SHAFT
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 300 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 23POS CABLE SCKT
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 93.1K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 48-VFBGA IC PSRAM 16MBIT 70NS 48VFBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 14.7 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 300K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 红外发射器,UV 发射器 Lumex Opto/Components Inc 径向 DIODE IR 880NM 60NW/SR CLR T-5MM