MUN5111DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
MUN5111DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
MUN5111DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:Digi-Reel®
MUN5111T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:202mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:Digi-Reel®
MUN5111T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:202mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:剪切带 (CT)
MUN5111T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:202mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:带卷 (TR)
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM ALINGAP2 590NM AMB 30DEG
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 39K OHM 1/4W 0.1% MF AXL
- 存储器 Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH NAND 1GB 63VFBGA
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 ON Semiconductor 18-VFDFN 裸露焊盘 IC REG BUCK BOOST INV ADJ 18DFN
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SC-70,SOT-323 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM ALINGAP2 590NM AMB 30DEG
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 3.9K OHM 1/4W 0.1% MF AXL
- 存储器 Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH 1GBIT 63VFBGA
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED ROUND 5MM 590NM AMBER 30DEG
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 750 OHM 1/4W 0.1% MF AXL
- PMIC - 电机和风扇控制器,驱动器 ON Semiconductor 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC CTRLR DC MOTOR BRSHLSS 24SOIC
- 存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH NAND 256GB 48TSOP
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 75 OHM 1/4W 0.1% MF AXL
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SC-70,SOT-323 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323