MUN2212T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:338mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:剪切带 (CT)
MUN2212T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:338mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0201(0603 公制) RES 75 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 360 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 68UF 100V 20% SMD
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0201(0603 公制) RES 75 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 33UF 10V 20% SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 39 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 3.9 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 6800UF 10V 20% SMD
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 22UF 16V 20% SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 3.9 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0201(0603 公制) RES 7.5K OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59