MUN2211T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:338mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:剪切带 (CT)
MUN2211T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:338mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:剪切带 (CT)
MUN2211T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:338mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:Digi-Reel®
MUN2211T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:338mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 Micron Technology Inc 134-TFBGA IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 134FBGA
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 Opto Diode Corp TO-205AA,TO-5-3 金属罐 PHOTODIODE LOCAP 5MM 450NM TO-5
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 270 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH NAND 64GB 48TSOP
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 13.3K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 866 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 168-WFBGA IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 270K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH NAND 64GB 48TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 13.7K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 240-WFBGA IC DDR2 SDRAM 2GBIT 240FBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 8.66K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 280K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 过时/停产零件编号 OSRAM Opto Semiconductors Inc TO-46-3 透镜顶部金属罐 KIT REFERENCE DESIGN RD-040