MUN2131T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):2.2k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:8 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 5mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:230mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 2.2 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 95.3 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0201(0603 公制) RES 6.2M OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
- 端子 - 环形 3M 19-SMD CONN RING INSUL 22-18 AWG #6
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 2.7 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 976 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
- 端子 - 环形 3M 19-SMD CONN RING INSUL 22-18AWG 100PC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 30 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 2.20 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0201(0603 公制) RES 75 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59