MUN2111T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:230mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:剪切带 (CT)
MUN2111T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:230mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:剪切带 (CT)
MUN2111T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:230mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:Digi-Reel®
MUN2111T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:230mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:带卷 (TR)
MUN2111T3详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:230mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:带卷 (TR)
MUN2111T3G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:230mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:带卷 (TR)
- 过时/停产零件编号 SofTec Microsystems SRL PROG HEAD FOR MP8011A 64-QFP
- 存储器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54VFBGA
- 配件 Texas Instruments 54-VFBGA KIT BOARD MULTI-CAL-SLAVE SYST
- 接口 - 信号缓冲器,中继器,分配器 Pericom SEMICONDUCTOR OTHER
- 微調器 Murata Electronics North America TRIMMER 33K OHM 0.1W SMD
- 过时/停产零件编号 Texas Instruments MULTI ADC AND DAC EVALUATION MOD
- 存储器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54VFBGA
- DC DC Converters TDK-Lambda Americas Inc 模块 DC/DC CONVERTER 75W 15V OUTPUT
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Pericom 28-VFQFN 裸露焊盘 IC PCI-E MUX/DEMUX 2X1 28TQFN
- 微調器 Murata Electronics North America TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRIMMER 10K OHM 0.1W SMD
- DC DC Converters TDK-Lambda Americas Inc 模块 DC/DC CONVERTER 100W 12VDCOUT
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Pericom 42-VFQFN 裸露焊盘 IC MUX/DEMUX 2X1 42TQFN
- 存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 512MBIT 125MHZ 90VFBGA
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
- 微調器 Murata Electronics North America TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRIMMER 100K OHM 0.1W SMD